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SCT3160KLGC11 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCT3160KLGC11 product

SCT3160KLGC11

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungs-MOSFET

Der SCT3160KLGC11 ist ein 1200V, 17A N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) MOSFET von ROHM, optimiert für hocheffiziente Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Hocheffiziente Leistungswandlung
  • Hochfrequenzschalten

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermischer Widerstand Sperrschicht-Gehäuse

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
1200 V
Dauer-Drainstrom
17 A
Einschaltwiderstand
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

Rohm-SCT3160KLGC11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCT3160KLGC11 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellen Schalteigenschaften.