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SCTW35N65G2VAG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCTW35N65G2VAG product

SCTW35N65G2VAG

MOSFETs - Single

SiC MOSFETAutomobil650V

Der SCTW35N65G2VAG ist ein SiC-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Automobilelektronik
  • Hocheffiziente DC-DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Anwendungen, bei denen Standard-Si-MOSFETs ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmewiderstand

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
45 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilStromversorgung

Datenblatt

beaa72b38612d77bd9e2c1aad2580bbb_2211080600_STMicroelectronics-SCTW35N65G2VAG_C3281062.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCTW35N65G2VAG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET der 2. Generation von STMicroelectronics mit 650V und 45A.