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SCTW40N120G2VAG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCTW40N120G2VAG product

SCTW40N120G2VAG

MOSFETs - Single

SiC MOSFETAutomotive1200VSTMicroelectronics

Der SCTW40N120G2VAG ist ein AEC-Q101-qualifizierter 1200V SiC-Leistungs-MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen in der Elektromobilität.

Ideal für

  • Traktionswechselrichter
  • Hochvolt-DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen
  • Kostensensitive Standard-Elektronik

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Spannungspegel
  • Thermische Anbindung

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
33 A
RDS(on)
105 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilLeistungselektronik

Datenblatt

poYBAGHDM5-AbtV-AAONJViuiSQ548.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCTW40N120G2VAG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein SiC-Leistungs-MOSFET der 2. Generation von STMicroelectronics mit 1200V Spannungsfestigkeit, optimiert für den Einsatz in Fahrzeugen.