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SCTW70N120G2V KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCTW70N120G2V product

SCTW70N120G2V

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungselektronik

Der SCTW70N120G2V ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandlung
  • Industrielle Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhrpfad

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
91 A
RDS(on)
21 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

905501847e6659560c14548ed1c6b573_2211080600_STMicroelectronics-SCTW70N120G2V_C3281068.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCTW70N120G2V laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET der 2. Generation von STMicroelectronics mit einer Nennspannung von 1200V und 91A.