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SCTWA35N65G2V KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCTWA35N65G2V product

SCTWA35N65G2V

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VLeistungselektronik

Der SCTWA35N65G2V ist ein leistungsstarker 650V SiC-MOSFET von STMicroelectronics, der für hocheffiziente Stromwandlung und Motorsteuerung optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Netzteile
  • DC-DC-Wandler
  • Industrielle Motorsteuerungen

Vermeiden, wenn

  • Kostengünstige Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
45 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrielle Motorsteuerung

Datenblatt

2eb9d31dc552a73b89d0330b5a10d421_2211080600_STMicroelectronics-SCTWA35N65G2V_C3281008.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCTWA35N65G2V laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET der 2. Generation mit 650V und 45A, untergebracht in einem HiP247-Gehäuse mit langen Anschlüssen.