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SCTWA90N65G2V-4 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCTWA90N65G2V-4 product

SCTWA90N65G2V-4

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VLeistungstransistor

Der SCTWA90N65G2V-4 ist ein leistungsstarker 650V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlung und Motorsteuerungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • DC-DC-Wandler
  • Industrielle Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Kostengünstige Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
119 A
Rds(on)
24 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

pYYBAGHDOTqAB-tKAAOiP9XctS0380.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCTWA90N65G2V-4 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET der 2. Generation von STMicroelectronics mit einer Nennspannung von 650V und 119A.