Es handelt sich um eine drahtgewickelte SMD-Leistungsinduktivität mit 1,0µH, die für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten konzipiert ist.
SFE201610-1R0N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 1,0 µH
- Nennstrom
- 1,6 A
- Sättigungsstrom
- 1,85 A
- Gleichstromwiderstand (Max)
- 0,114 Ω
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Compliant
- REACH
- Compliant
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
StromversorgungAllgemeine Elektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für SFE201610-1R0N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
