Es handelt sich um einen ultraschnellen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit integrierter Freilaufdiode, ausgelegt für 600V und 40A.
SGH40N60UFDTU KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Spannung (VCES)
- 600 V
- Strom (IC)
- 40 A
- Verlustleistung
- 160 W
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- Not Applicable
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Anwendung
MotorsteuerungLeistungswechselrichter
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für SGH40N60UFDTU laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
