ProjektePreiseInsights

SGT50T65FD1P7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SGT50T65FD1P7 product

SGT50T65FD1P7

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VField Stop

Der SGT50T65FD1P7 ist ein 650V, 50A Field Stop IV IGBT, der für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Netzteile
  • Wechselrichter
  • Schweißtechnik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringer Leistung, bei denen Schaltverluste kritisch sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vce(max)
650 V
Ic(max)
50 A
Vce(sat)
2,2 V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

582a90faea98426fc9e0a52e15c841a0_2208230930_Hangzhou-Silan-Microelectronics-SGT50T65FD1P7_C5123272.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SGT50T65FD1P7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 50A IGBT mit Field Stop IV-Technologie von Silan, der für effizientes Schalten ausgelegt ist.