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SGT50T65FD1PN KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SGT50T65FD1PN product

SGT50T65FD1PN

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650V50AField Stop

Der SGT50T65FD1PN ist ein 650V, 50A Field-Stop-IV-IGBT, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in Industrie- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Industrielle Stromversorgungen
  • Schweißgeräte
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Batteriebetriebene Kleingeräte

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vce
650 V
Ic
50 A
Vce(sat)
2,0 V
Gehäuse
TO-3P

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead-free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

30b2434dc73060e6c71eec5bd5f42e0d_2103191913_Hangzhou-Silan-Microelectronics-SGT50T65FD1PN_C2761787.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SGT50T65FD1PN laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 50A IGBT, der die Field-Stop-Technologie der 4. Generation von Silan nutzt und auf geringe Leitungs- und Schaltverluste optimiert ist.