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SH8K26-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SH8K26-HXY product

SH8K26-HXY

FETs

Dual N-KanalMOSFET40VSOP-8

Der SH8K26 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von mehr als 2,9W erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
12 A
RDS(on)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

383ae46f39aacdc9d1b2d9f8197eabfc_HXY MOSFET(华轩阳电子)&SH8K26-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SH8K26-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SH8K26 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und in einem SOP-8-Gehäuse untergebracht ist.