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SI1012CR-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI1012CR-T1-GE3 product

SI1012CR-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VSC-75A

Der Si1012CR ist ein 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SC-75A-Gehäuse, optimiert für stromsparende tragbare Anwendungen.

Ideal für

  • Tragbare Lastschaltung
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 0,6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
0,63 A
RDS(on)
0,396 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Tragbare GeräteBatteriesysteme

Datenblatt

a9b2fc42c71f477074a03e36873889bf_2112021830_Vishay-Intertech-SI1012CR-T1-GE3_C388850.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI1012CR-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si1012CR ist ein 20V N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der für effizientes Schalten in platzkritischen tragbaren Geräten entwickelt wurde.