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SI1012X-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI1012X-T1-GE3-HXY product

SI1012X-T1-GE3-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFETSOT-52320V

Der SI1012X-T1-GE3 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im kompakten SOT-523-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,15 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
0,8 A
RDS(on)
< 250 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

6103800225cda6a67276488de5411125_2403261741_HXY-MOSFET-SI1012X-T1-GE3-HXY_C22367114.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI1012X-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen geeignet ist.