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SI1013X-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI1013X-T1-GE3-HXY product

SI1013X-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-523

Der SI1013X-T1-GE3 ist ein -20V P-Kanal-MOSFET im SOT-523-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,66 A
RDS(on)
560 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

cf25b9674d01ba077522475ff3f59d2c_2403261740_HXY-MOSFET-SI1013X-T1-GE3-HXY_C22367061.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI1013X-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET in Trench-Technologie für Niederspannungs-Schaltanwendungen.