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SI1308EDL-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI1308EDL-T1-GE3 product

SI1308EDL-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOT-323

Der Si1308EDL ist ein 30-V-N-Kanal-TrenchFET-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, ideal für platzsparende Low-Power-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Mobilgeräte
  • Low-Power DC/DC-Wandlung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1,5 A
  • Hochtemperaturumgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
1,5 A
RDS(on)
0,132 Ω
Qg
1,4 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

134036.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI1308EDL-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si1308EDL ist ein 30-V-N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der in einem kompakten SOT-323 (SC-70) Gehäuse untergebracht ist.