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SI1539CDL-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI1539CDL-T1-GE3 product

SI1539CDL-T1-GE3

MOSFETs - Arrays

Dual-MOSFETN-KanalP-KanalSOT-363

Der Si1539CDL-T1-GE3 ist ein dualer N- und P-Kanal-MOSFET im kompakten SOT-363-Gehäuse, ideal für platzsparende Signalumschaltungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • DC/DC-Wandlung
  • Lastmanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsstufen
  • Anwendungen mit hohem Wärmebedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Grenzen auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
30 V
Id
0,7 A / -0,5 A
Rds(on)
0,388 Ohm / 0,890 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

b426ac36927838791160c76e970525cb_1912111437_Vishay-Intertech-SI1539CDL-T1-GE3_C141530.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI1539CDL-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen MOSFET (ein N-Kanal, ein P-Kanal) von Vishay Siliconix in einem 6-poligen SOT-363-Gehäuse.