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SI2300-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2300-HXY product

SI2300-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der SI2300-HXY ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für kompakte Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriebetriebene Geräte
  • Niederspannungs-Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 0,35W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(on)
27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2300-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie für effizientes Schalten.