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SI2301CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2301CDS-T1-GE3 product

SI2301CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Lastschalter

Der Si2301CDS ist ein zuverlässiger P-Kanal-TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für Lastschaltanwendungen, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und ein kompaktes Design erfordern.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Tragbare Elektronik
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3 A
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische PCB-Auslegung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
-20 V
Kontinuierlicher Drainstrom
-3,1 A
RDS(on) bei -4,5 V
0,112 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

fd3e801bd23f3e0843980dc687f930ba_1808272021_Vishay-Intertech-SI2301CDS-T1-GE3_C10487.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2301CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si2301CDS ist ein P-Kanal-20-V-TrenchFET-Leistungs-MOSFET in einem Standard-SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Lastschalten entwickelt wurde.