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SI2301CDS-T1-GE3-MS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2301CDS-T1-GE3-MS product

SI2301CDS-T1-GE3-MS

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench DMOS

Der SI2301CDS-T1-GE3-MS ist ein P-Kanal-Trench-DMOS-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ausgelegt für -20V und -3A, ideal für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Notebook-Stromversorgung
  • Lastschalter
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 20V
  • Hochleistungsdesigns, die die thermischen Grenzen von SOT-23 überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhranforderungen

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-3 A
RDS(ON)
70 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2301CDS-T1-GE3-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der Trench-DMOS-Technologie verwendet und für schnelles Schalten optimiert ist.