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SI2301DS-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2301DS-ES product

SI2301DS-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Leistungsschalter

Der SI2301DS-ES ist ein P-Kanal-MOSFET mit -20V im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbares Energiemanagement
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung und thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
2,3 A
RDS(on)
90 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Pb-free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2301DS-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen RDS(on) ausgelegt ist.