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SI2302-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2302-HXY product

SI2302-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V2,8A

Der SI2302-HXY ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten bei niedrigen Spannungen in Batterieschutz- und Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Tragbare batteriebetriebene Geräte
  • Niederspannungs-Lastschaltung
  • Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20 V
  • Hochstromanwendungen, die mehr als 2,8 A Dauerstrom erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,8 A
RDS(ON)
55 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

afd3f99a196a89039ab63a1396477677_2207201830_HXY-MOSFET-SI2302-HXY_C4748714.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2302-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung optimiert ist.