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Si2302ADS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2302ADS-HXY product

Si2302ADS-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der Si2302ADS ist ein N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,3 A
RDS(ON)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

396c4d704f5d7cb7e424cb0d5bac5f2a_2403261742_HXY-MOSFET-Si2302ADS-HXY_C22367240.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2302ADS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für effizientes Schalten bei niedrigen Spannungen nutzt.