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SI2302CDS-T1-BE3 KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

SI2302CDS-T1-BE3 product

SI2302CDS-T1-BE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VSOT-23TrenchFET

Der SI2302CDS-T1-BE3 ist ein N-Kanal 20-V-TrenchFET-Leistungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Lastschaltkreise.

Ideal für

  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • Niederspannungs-DC/DC-Wandlung
  • Batteriebetriebene Managementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20 V
  • Schaltungen mit kontinuierlich über 3 A Laststrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannungsbereich
  • Leiterbahnquerschnitt für thermische Ableitung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
20 V
Dauerstrom
2.9 A
Einschaltwiderstand RDS(on)
0.057 Ohm max @ 4.5V
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

LastschaltungDC/DC-WandlerUnterhaltungselektronik

Datenblatt

2301131609_Vishay-Intertech-SI2302CDS-T1-BE3_C5344580.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2302CDS-T1-BE3 ist ein N-Kanal 20-V-Leistungs-MOSFET in TrenchFET-Technologie im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse.