ProjektePreiseInsights

SI2302CDS-T1-E3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2302CDS-T1-E3 product

SI2302CDS-T1-E3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VSOT-23

Der Si2302CDS ist ein 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Lastschaltanwendungen und DC/DC-Wandler in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Spannung (>20V) oder hohem Strom (>3A)

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,9 A
RDS(on)
0,057 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

c11267250877871c66f41759455d7dbb_1806090352_Vishay-Intertech-SI2302CDS-T1-E3_C141544.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2302CDS-T1-E3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.