ProjektePreiseInsights

Si2302CDS-T1-GE3-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2302CDS-T1-GE3-ES product

Si2302CDS-T1-GE3-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der SI2302CDS-T1-GE3-ES ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Energieverwaltung in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
20 V
Id
3,3 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Pb-free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

c8b4179ecd4ad9edbd81a933fba706ae_2210271700_ElecSuper-Si2302CDS-T1-GE3-ES_C5224182.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2302CDS-T1-GE3-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.