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Si2302CDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2302CDS-T1-GE3-HXY product

Si2302CDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der Si2302CDS-T1-GE3 ist ein 20V, 2.3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2.3 A
RDS(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

4340ab72e1c7a756f95bdf861800cac4_2403261742_HXY-MOSFET-Si2302CDS-T1-GE3-HXY_C22367241.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2302CDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde und Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung nutzt.