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SI2302CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2302CDS-T1-GE3 product

SI2302CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VSOT-23TrenchFET

Der Si2302CDS-T1-GE3 ist ein leistungsstarker 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für das Energiemanagement in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung
  • DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >20V VDS
  • Hochleistungsdesigns, die die thermischen Grenzen von SOT-23 überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,9 A
RDS(on)
0,057 Ω
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

si2302cds.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2302CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si2302CDS ist ein 20V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten nutzt.