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SI2302CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

SI2302CDS-T1-GE3 product

SI2302CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VSOT-23TrenchFET

Der Si2302CDS-T1-GE3 ist ein leistungsstarker 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für das Energiemanagement in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung
  • DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >20V VDS
  • Hochleistungsdesigns, die die thermischen Grenzen von SOT-23 überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,9 A
RDS(on)
0,057 Ω
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

si2302cds.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si2302CDS ist ein 20V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten nutzt.