ProjektePreiseInsights

Si2302DDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2302DDS-T1-GE3-HXY product

Si2302DDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs

MOSFETN-KanalSOT-2320V

Der Si2302DDS-T1-GE3 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochstromanwendungen über 2,3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,3 A
RDS(ON)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

fc1307c5ba0aaff9ac296bb660bd4e2a_2403261742_HXY-MOSFET-Si2302DDS-T1-GE3-HXY_C22367242.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2302DDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Niederspannungsschaltanwendungen mit niedrigem RDS(ON) und geringer Gate-Ladung.