ProjektePreiseInsights

Si2302DS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2302DS-HXY product

Si2302DS-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-23

Der Si2302DS ist ein kompakter N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastmanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
20V
Id
2,3A
RDS(on)
60mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

fdcfc70be58373f7f35c2488c2468ac0_2403261654_HXY-MOSFET-Si2302DS-HXY_C22366705.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2302DS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für effizientes Schalten in Niederspannungsschaltungen ausgelegt ist.