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SI2302DS-T1-GE3-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2302DS-T1-GE3-ES product

SI2302DS-T1-GE3-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der SI2302DS-T1-GE3-ES ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V
  • Hochstromanwendungen mit hohem Kühlbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
3,3 A
RDS(on)
45 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

e032e3080c0a544b3275f4b1b97ecfb2_2210271700_ElecSuper-SI2302DS-T1-GE3-ES_C5224184.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2302DS-T1-GE3-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für kompakte Schaltanwendungen entwickelt wurde.