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Si2303CDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2303CDS-T1-GE3-HXY product

Si2303CDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-23

Der Si2303CDS-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit -30V in einem SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 4A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(ON)
< 56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

93b9054628579be24369a84c1c75589a_2403261742_HXY-MOSFET-Si2303CDS-T1-GE3-HXY_C22367269.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2303CDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für Niederspannungsschaltanwendungen geeignet ist.