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SI2303CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2303CDS-T1-GE3 product

SI2303CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VSOT-23

Der Si2303CDS ist ein zuverlässiger P-Kanal 30V TrenchFET-MOSFET, der für Lastschaltanwendungen in kompakten Designs optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Tragbare Elektronik
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2,7A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-2,7 A
RDS(on)
0,190 Ohm
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

fc5925e8e1baeeb5f030f9e9a671d0a6_1809111522_Vishay-Intertech-SI2303CDS-T1-GE3_C10489.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2303CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 30V TrenchFET-Leistungs-MOSFET für effizientes Lastschalten.