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Si2304BDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2304BDS-T1-GE3-HXY product

Si2304BDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFETSOT-2330V

Der Si2304BDS-T1-GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET (30V, 4A) im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterie- und Lastmanagementanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
4 A
RDS(on)
29 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

3aa52910cb4028af21c4f50370120778_2403261743_HXY-MOSFET-Si2304BDS-T1-GE3-HXY_C22367342.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2304BDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.