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SI2304DDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2304DDS-T1-GE3 product

SI2304DDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOT-23

Der Si2304DDS ist ein 30V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im kompakten SOT-23-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandleranwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Schaltanwendungen mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3,6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJA) auf Ihrer Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
3,6 A
RDS(on)
0,060 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

DC/DC-Wandler

Datenblatt

c486273cf1e287e0910149fa2cfbefb5_1809192314_Vishay-Intertech-SI2304DDS-T1-GE3_C56372.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2304DDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten nutzt.