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SI2305-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2305-HXY product

SI2305-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-23

Der SI2305-HXY ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -20 V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im SOT-23-Layout

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-5 A
RDS(ON)
< 45 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

d53c77a77dfb6102becd541742f3fb7b_2207201830_HXY-MOSFET-SI2305-HXY_C4748718.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2305-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie für effizientes Schalten bei niedrigen Spannungen nutzt.