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Si2307CDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2307CDS-T1-GE3-HXY product

Si2307CDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFETSOT-2330V

Der Si2307CDS-T1-GE3 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Batterieschutz, Lastschaltung und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Verlustleistung über 1,32W

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4,1 A
RDS(on)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

e1377510157d025ed5dd7c9f8361bb5b_2403261742_HXY-MOSFET-Si2307CDS-T1-GE3-HXY_C22367262.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2307CDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.