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SI2307CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2307CDS-T1-GE3 product

SI2307CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VSOT-23

Der Si2307CDS-T1-GE3 ist ein P-Kanal 30V TrenchFET-MOSFET, der für Lastschaltanwendungen in tragbaren Geräten optimiert ist und eine Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand und kompaktem SOT-23-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • Batteriemanagementschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3A
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-2.7 A
RDS(on)
0.088 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Tragbare GeräteLastschaltung

Datenblatt

b6ee8c84d43bf10cc7ac43771d603adf_1806131626_Vishay-Intertech-SI2307CDS-T1-GE3_C141561.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2307CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 30V MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen nutzt.