ProjektePreiseInsights

SI2308 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2308 product

SI2308

Discrete Semiconductor Products

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der SI2308 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Schutzschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2,5A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
2,5 A
RDS(on)
85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

e30ba1df838da459621d7d88cace9b0a_HXY MOSFET(华轩阳电子)&SI2308.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2308 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2308 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HXY MOSFET, der für effizientes Schalten in kompakten elektronischen Geräten entwickelt wurde.