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SI2309CDS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2309CDS-T1-GE3-HXY product

SI2309CDS-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der SI2309CDS-T1-GE3 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit einer Nennspannung von -60V und einem Strom von -2A.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im SOT-23-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-2 A
RDS(ON)
<200 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

c871158aca8862e90df025cc34424107_2403261736_HXY-MOSFET-SI2309CDS-T1-GE3-HXY_C22366725.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2309CDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte und Grabenstruktur, der für kleine Leistungsschalt- und Lastschaltanwendungen entwickelt wurde.