ProjektePreiseInsights

SI2309CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2309CDS-T1-GE3 product

SI2309CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VSOT-23Lastschalter

Der Si2309CDS ist ein 60V P-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Energiemanagement in kompakten Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1.6A
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-1.6 A
RDS(on)
0.345 Ω
Qg
2.7 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Lastschalter

Datenblatt

b5949d074256386f2b46054411b13cfd_1810311811_Vishay-Intertech-SI2309CDS-T1-GE3_C10493.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2309CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 60V P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit TrenchFET-Technologie im SOT-23-Gehäuse.