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SI2309DS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2309DS product

SI2309DS

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2360V

Der SI2309DS ist ein 60V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Lastschaltanwendungen und Pegelverschiebungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Energieverwaltung
  • Pegelverschiebung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1,6A
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-1,6 A
RDS(ON)
<200 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541100080.0

Anwendung

LeistungsschaltungLastschaltung

Datenblatt

e19e1197924c07e231ae37bd3347881f_2209271730_TECH-PUBLIC-SI2309DS_C5182077.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2309DS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2309DS ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von TECH PUBLIC mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -1,6A.