SI2309S Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | BORN | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SI2309S product

Der SI2309S ist ein 60V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für effizientes Lastschalten und allgemeine Schaltungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Lastschalter
Allgemeine Schaltkreise

Vermeiden, wenn

Hochstromanwendungen über 2A
Anwendungen mit extrem hohen Anforderungen an den Wärmewiderstand

Vor der Verwendung prüfen

Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vds: -60V
Id: -1,9A
Rds(on): 170mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2309S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2309S ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von BORN Semiconductor, der mittels Trench-Technologie einen niedrigen Einschaltwiderstand erreicht.