ProjektePreiseInsights

SI2310-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2310-HXY product

SI2310-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der SI2310 ist ein 60V, 3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der sich ideal für Schaltanwendungen und Batterieschutz eignet.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,7W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
3 A
RDS(on)
85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

03ac1d361eda45700b9bb4892002bdea_2212161130_HXY-MOSFET-SI2310-HXY_C4748716.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2310-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2310 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt und für effizientes Schalten in kompakten Designs optimiert ist.