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SI2310AHE3-TP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2310AHE3-TP product

SI2310AHE3-TP

MOSFETs - Single

AEC-Q101N-KanalMOSFET60V

Der SI2310AHE3-TP ist ein AEC-Q101-qualifizierter N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Automobil- und Schaltanwendungen mit 60V und 3A.

Ideal für

  • Automobilelektronik
  • Energiemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 3A Dauerstrom
  • Hochleistungsdesigns über 1,2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
3 A
RDS(on)
100 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

AutomobilLeistungsschaltung

Datenblatt

98b72f5cb2890f8148b7447995d80055_2307211758_MCC-Micro-Commercial-Components-SI2310AHE3-TP_C5243799.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2310AHE3-TP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus für effizientes Schalten, qualifiziert nach AEC-Q101.