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SI2312BDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2312BDS-T1-GE3 product

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VSOT-23

Der SI2312BDS-T1-GE3 ist ein 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im kompakten SOT-23-Gehäuse, ideal für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Niederspannungs-Stromversorgung
  • Signalumschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische PCB-Layout-Gestaltung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
5,0 A
RDS(on)
31 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Allgemeine Stromversorgung

Datenblatt

a311d36b0265cc2ad93f94b745cd0625_1810311714_Vishay-Intertech-SI2312BDS-T1-GE3_C10490.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2312BDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal 20V-MOSFET für effizientes Schalten in kompakten elektronischen Geräten.