Si2312CDS-T1-GE3-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

Si2312CDS-T1-GE3-HXY product

Der Si2312CDS-T1-GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET mit 20V und 6A im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

Batterieschutzschaltungen
Lastschalter

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen über 0,35W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Dauerstromgrenzen

Wichtige Specs

VDS: 20 V
ID: 6 A
RDS(on): 22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2312CDS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Schaltanwendungen, Batterieschutz und Lastschalter entwickelt wurde.