ProjektePreiseInsights

SI2312CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2312CDS-T1-GE3 product

SI2312CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-23TrenchFET

Der Si2312CDS ist ein leistungsstarker 20V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im kompakten SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbares Energiemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochleistungsdesigns, die erhebliche Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(on)
31,8 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Elektronik

Datenblatt

7d85bc18fd603a0098e3b31a2abe6169_1806122023_Vishay-Intertech-SI2312CDS-T1-GE3_C142518.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2312CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie verwendet und für eine Drain-Source-Spannung von 20V ausgelegt ist.