SI2318DS-T1-E3-MS Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | MSKSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SI2318DS-T1-E3-MS product

Der SI2318DS-T1-E3-MS ist ein 40V N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten in tragbaren Geräten und Stromversorgungen optimiert ist.

Ideal für

Lastschaltung
Vcore-Stromversorgung
Tragbare Messgeräte

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die hohe Dauerströme jenseits der thermischen Grenzen von SOT-23 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS: 40 V
ID: 4 A
RDS(on): 36 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

5113ec74c5f795f1904fdb339e2e8cd8_2212290930_MSKSEMI-SI2318DS-T1-E3-MS_C5343294.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2318DS-T1-E3-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-DMOS-Technologie in einem kompakten SOT-23-Gehäuse.