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SI2319 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2319 product

SI2319

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Leistungsschalter

Der SI2319 ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit -40V und -5A, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Allgemeines Schalten
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 5A
  • Designs mit mehr als 1,4W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-5 A
RDS(on) @ -10V
< 85 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Green Device Available
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromschaltungDC-DC-Wandler

Datenblatt

776edded60b5ffbd15429e9197ed7e39_HXY MOSFET(华轩阳电子)&SI2319.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2319 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der SI2319 ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET von HXY MOSFET, der mittels Trench-Technologie für effizientes Schalten entwickelt wurde.