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SI2319CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2319CDS-T1-GE3 product

SI2319CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET40VSOT-23

Der Si2319CDS ist ein P-Kanal 40V TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Lastschalter und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hohen Strömen über 4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Kupferfläche zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vds
-40 V
Id
-4.4 A
Rds(on)
0.077 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

MMCID00011-14.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2319CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 40V Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten nutzt.